SK Hynix publica informe trimestral 2T 2019

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SK Hynix anunció los resultados financieros para su segundo trimestre de 2019, finalizado el 30 de junio del año en curso. Los ingresos consolidados del segundo trimestre fueron de ₩ 6.45B, mientras que las ganancias operativas ascendieron a ₩ 638 mil millones, y la utilidad neta de ₩ 537 mil millones. El margen operativo para el trimestre fue de 10% y el margen neto fue de 8%.

Como la recuperación de la demanda no cumplió con las expectativas y las caídas de los precios fueron más pronunciadas de lo esperado, los ingresos y la ganancia operativa en el segundo trimestre cayeron un 5% y un 53% respectivamente, trimestre a trimestre.

Los envíos de DRAM aumentaron un 13% en el trimestre, ya que la compañía respondió activamente a los mercados de dispositivos móviles y PC DRAM, donde el crecimiento de la demanda fue relativamente alto.

Sin embargo, los precios de DRAM permanecieron débiles y el precio de venta promedio se redujo en un 24%. Para NAND Flash, los envíos de bits aumentaron en un 40%, debido a la recuperación de la demanda debido a la disminución de los precios, mientras que el precio de venta promedio disminuyó en un 25%.

SK Hynix planea ajustar la producción y la inversión de manera flexible para responder a las condiciones del mercado.

La compañía reducirá su capacidad de producción de DRAM a partir del cuarto trimestre y convertirá parte de las líneas de producción de DRAM de su fabrica M10 en Icheon, Corea, a las líneas de producción en masa del sensor de imagen CMOS (CIS) desde la segunda mitad.

Esto es para reducir la capacidad de la oblea de DRAM teniendo en cuenta el entorno de demanda de DRAM y para fortalecer la competitividad de su negocio CIS. Además, con la disminución de la capacidad debida a la migración de la tecnología DRAM, es probable que la capacidad de la DRAM continúe disminuyendo hasta el próximo año.

SK Hynix agregó que también aumentará la reducción de insumos de obleas NAND este año a más del 15%. La compañía anunció el semestre pasado que disminuiría la entrada de la oblea NAND este año en más del 10% en comparación con el año pasado.

Además, SK Hynix planea revisar, evaluar la situación de la demanda, la sincronización de la obtención de espacio de sala limpia adicional en su fabrica M15 en Cheongju, Corea, y la instalación de equipos en la fabrica M16 en Icheon, que se espera que se complete en la segunda La mitad del próximo año. Como resultado, se espera que el monto de la inversión el próximo año sea significativamente menor que este año.

Para NAND Flash, SK Hynix se centrará en su NAND de 72 capas, pero también planea apuntar a los teléfonos inteligentes de gama alta y al mercado de SSD al aumentar la proporción de 4D NAND de 96 capas desde la segunda mitad. La compañía se preparará para la producción en masa y las ventas del 4D NAND Flash de 128 capas de 1Tb.

SK Hynix continuará fortaleciendo su competitividad en preparación para el crecimiento de la memoria a medio y largo plazo.