En enero, Intel y Micron anunciaron que su sociedad tecnológica NAND estaba llegando a su fin, y ambas compañías planean crear de forma independiente la tecnología NAND en el futuro para atender mejor sus necesidades comerciales individuales.


Hasta ahora, la razón detrás de la ruptura de Intel / Micron era desconocida, aunque ahora parece que Intel y Micron simplemente querían llevar su tecnología NAND en direcciones separadas.

A diferencia de los fabricantes de NAND competidores como Samsung, SK Hynix, Western Digital y Toshiba, Micron e Intel utilizan la tecnología NAND de Floating Gate, una técnica de producción que ambas compañías promocionan como superior al modelo de trampa de carga con casi todos los demás fabricantes de NAND. Con su 4ª generación de 3D NAND, Micron planea pasar de Floating Gate a Charge-Trap, un cambio de sentido significativo para la compañía, dejando a Intel como el único partidario de la tecnología NAND de Floating Gate.


Anteriormente, Micron era escéptico con respecto a la longevidad de 3D Charg-Trap NAND, especulando que una memoria USB que utiliza este NAND podría limpiarse después de seis meses sin uso. Micron no creía que Charge-Trap NAND fuera utilizable como un medio de almacenamiento no volátil a largo plazo, por lo que decidieron trabajar en la tecnología Floating Gate, que consideraban más confiable.

En este momento, la mayoría de los principales fabricantes de NAND usan Charge-Trap NAND, sin signos de problemas de confiabilidad, altos niveles de consumo de energía, bajo rendimiento de lectura/escritura o cualquier otra indicación de problemas de producción subyacentes. Parece que Micron se equivocó al cancelar el NAND Charge-Trap tan pronto.

Mientras que la alianza Intel / Micron Floating Gate NAND ha terminado, ambas compañías continúan trabajando juntas en la memoria XPoint. Ambas compañías usan fábricas de propiedad conjunta para crear memoria XPoint, con planes para continuar desarrollando la tecnología como un medio de almacenamiento no volátil y como una alternativa a DRAM en aplicaciones seleccionadas.


Intel y Micron seguirán su propio camino con su futuro desarrollo NAND, permitiendo que Micron alcance a sus competidores con Charge-Trap NAND, mientras que Intel parece continuar trabajando en la tecnología NAND de Floating Gate.