Samsung Electronics, el líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que comenzó a producir en masa 10-nanómetros (nm) de clase 16-gigabit (Gb) LPDDR4X DRAM para automóviles. La última LPDDR4X presenta un alto rendimiento y eficiencia energética, mientras que eleva significativamente el nivel de resistencia térmica para las aplicaciones automotrices que a menudo necesitan operar en ambientes extremos. La DRAM de 10nm-class también habilitará la interfaz LPDDR4X basada en DRAM automotriz más rápida de la industria con la densidad más alta.


“La DRAM LPDDR4X de 16Gb es nuestra solución automotriz más avanzada hasta el momento, y ofrece a los fabricantes de automóviles excelentes fiabilidad, resistencia, velocidad, capacidad y eficiencia energética”, dijo Sewon Chun, vicepresidente senior de marketing de memoria de Samsung Electronics“Samsung continuará colaborando estrechamente con los fabricantes que desarrollan diversos sistemas automotrices, en la entrega de soluciones de memoria premium en cualquier lugar”.

Avanzando un paso más allá de su DRAM Automotive Class 2 de 20nm, que puede soportar temperaturas de -40°C a 105°C, el LPDDR4X de 16Gb de Samsung cumple con la norma automotriz de grado 1, elevando el umbral de gama alta a 125°C. Al satisfacer con creces las rigurosas pruebas de ciclado térmico en el sistema de los fabricantes automotrices globales, el LPDDR4X de 16Gb ha mejorado su confiabilidad para una amplia variedad de aplicaciones automotrices en muchos de los entornos más desafiantes del mundo.

Para aumentar el grado de confiabilidad bajo altas temperaturas, la producción en un nodo avanzado de clase 10nm es clave para permitir que el LPDDR4X de 16 Gb entregue su rendimiento y eficiencia energética de vanguardia. Incluso en entornos con temperaturas extremadamente altas de hasta 125°C, su velocidad de procesamiento de datos llega a 4.266 megabits por segundo (Mbps), un aumento del 14 por ciento desde la DRAM LPDDR4 de 8Gb basada en tecnología de proceso de 20nm y la nueva memoria también registra un aumento del 30 por ciento en la eficiencia energética.

Junto con una unidad incorporada Universal Flash Storage (eUFS) de 256 gigabytes (GB) anunciada en febrero, Samsung ha ampliado su línea de soluciones de memoria avanzada para futuras aplicaciones automotrices con la DRAM LPDDR4X 16Gb de 10nm, disponible comercialmente en 12Gb, 16Gb, 24Gb y Capacidades de 32Gb Al tiempo que amplía sus ofertas de DRAM de 10nm, la compañía también planea reforzar las alianzas tecnológicas para soluciones automotrices que incluyen ADAS (Advanced Driver Assistance Systems), conducción autónoma, sistemas de infoentretenimiento y pasarelas.