Samsung ha publicado más información sobre su nueva línea de memoria GDDR6, que detalla los modelos de menor capacidad, así como las variantes de velocidad múltiple que se ubicarán debajo de los recientemente anunciados módulos GDR6 de 16Gb a 18 Gbps de la compañía.

La memoria GDDR6 de Samsung vendrá con capacidades de 8Gb y 16Gb, ofreciendo una cantidad mínima de memoria como las ofertas GDDR5 más grandes de la compañía. Este aumento en el almacenamiento allana el camino para las GPU con bancos más grandes de VRAM, con un equivalente Titan Xp GDDR6 que ofrece la capacidad de ofrecer hasta 24 GB de VRAM en un bus de memoria de 384 bits.

Junto con los ya anunciados módulos GDDR6 a 18 Gbps, la compañía también ofrecerá módulos de 12Gbps, 14Gbps y 16Gbps, permitiendo a los clientes comprar la memoria GDDR6 que mejor se adapte a sus requisitos de rendimiento de memoria y al mismo tiempo ofrecer un rendimiento líder en la industria.

En comparación con GDDR6 parece claro que el día de GDDR5X está llegando a su fin, con GDDR6 que ofrece niveles superiores de eficiencia energética, así como un mejor rendimiento. Los chips GDDR5X más rápidos de Micron funcionan a 12 Gbps, las mismas velocidades que ofrece el GDDR6 de gama baja de Samsung, a la vez que ofrecen la capacidad de almacenar más memoria por chip.

La variedad de memoria GDDR6 de Samsung les servirá para pasar al 2018, ofreciendo una gama de velocidades y capacidades que se adaptan a casi cualquier producto, permitiendo que los bancos de memoria más grandes estén disponibles cuando se usa un bus de memoria más pequeño al tiempo que se habilitan niveles más altos de ancho de banda de memoria.